光學(xué)干涉原理的膜厚測(cè)量技術(shù)的運(yùn)用范圍

發(fā)布時(shí)間：2022-04-26　點(diǎn)擊量：1145

光學(xué)干涉原理的膜厚測(cè)量技術(shù)的運(yùn)用范圍

F50自動(dòng)映射膜厚測(cè)量系統(tǒng)

F50自動(dòng)映射膜厚測(cè)量系統(tǒng)是結(jié)合了基于光學(xué)干涉原理的膜厚測(cè)量功能和自動(dòng)高速平臺(tái)的系統(tǒng)。
以過(guò)去無(wú)法想象的速度測(cè)量任意點(diǎn)的膜厚和折射率。它支持從 2 英寸到 450 毫米的硅基板，并且可以規(guī)定任何測(cè)量點(diǎn)。
還有與大型玻璃基板兼容的可選產(chǎn)品。

主要特點(diǎn)

將基于光學(xué)干涉原理的膜厚測(cè)量功能與自動(dòng)高速載物臺(tái)相結(jié)合的系統(tǒng)
以過(guò)去無(wú)法想象的速度測(cè)量任意點(diǎn)的膜厚和折射率
兼容2英寸至450毫米的硅基板，可任意測(cè)量點(diǎn)。

主要用途

半導(dǎo)體	抗蝕劑、氧化膜、氮化膜、非晶/聚乙烯、拋光硅片、化合物半導(dǎo)體襯底、?T襯底等。
平板	單元間隙、聚酰亞胺、ITO、AR薄膜、各種光學(xué)薄膜等
薄膜太陽(yáng)能電池	CdTe、CIGS、非晶硅等
	砷化鋁鎵（AlGaAs）、磷化鎵（GaP）等

產(chǎn)品陣容

模型	F50-UV	F50	F50-近紅外	F50-EXR	F50-UVX
測(cè)量波長(zhǎng)范圍	190-1100nm	380-1050nm	950-1700nm	380-1700nm	190-1700nm
膜厚測(cè)量范圍	5nm-40μm	20nm-70μm	100nm-250μm	20nm-250μm	5nm-250μm
準(zhǔn)確性*	± 0.2% 薄膜厚度		± 0.4% 薄膜厚度	± 0.2% 薄膜厚度
準(zhǔn)確性*	1納米	2納米	3納米	2納米	1納米
測(cè)量光斑直徑	兼容標(biāo)準(zhǔn)1.5mm 0.5mm、0.2mm、0.1mm（可選）
光源	氘· 鹵素	鹵素			氘· 鹵素

測(cè)量示例

薄膜厚度分析 FIL Mapper 軟件具有強(qiáng)大而*的薄膜厚度分析算法和讓您輕松規(guī)定測(cè)量點(diǎn)的功能。

可進(jìn)行高速測(cè)量，最快可在 21 秒內(nèi)完成 300 mm 晶圓上的 25 點(diǎn)測(cè)量。

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